Продукція > STMICROELECTRONICS > STB47N60DM6AG
STB47N60DM6AG

STB47N60DM6AG STMicroelectronics

stb47n60dm6ag.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.38 грн
10+349.52 грн
100+287.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB47N60DM6AG STMicroelectronics

Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STB47N60DM6AG за ціною від 241.46 грн до 557.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB47N60DM6AG STB47N60DM6AG Виробник : STMicroelectronics stb47n60dm6ag-1850358.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+557.40 грн
10+381.49 грн
100+251.00 грн
500+241.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N60DM6AG STB47N60DM6AG Виробник : STMicroelectronics stb47n60dm6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N60DM6AG STB47N60DM6AG Виробник : STMicroelectronics stb47n60dm6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N60DM6AG Виробник : STMicroelectronics stb47n60dm6ag.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 36A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB47N60DM6AG STB47N60DM6AG Виробник : STMicroelectronics stb47n60dm6ag.pdf Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.