Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB4NK60ZT4

STB4NK60ZT4

en.CD00003002.pdf
Код товару: 61457
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB4NK60ZT4 за ціною від 48.15 грн до 203.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMicroelectronics 8882.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMicroelectronics 8882.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00003002.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+67.22 грн
2000+60.16 грн
3000+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMicroelectronics 8882.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMicroelectronics 8882.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMicroelectronics 8882.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.00 грн
25+73.03 грн
100+69.50 грн
250+63.50 грн
500+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMicroelectronics 8882.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+74.00 грн
194+73.03 грн
196+72.07 грн
250+68.58 грн
500+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00003002.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 4231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.34 грн
10+126.52 грн
100+87.04 грн
500+65.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 1.76 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.76ohm
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 STB4NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00003002.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 8882.pdf
STB4NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+48.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 8882.pdf
STB4NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 en.CD00003002.pdf
STB4NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+67.22 грн
2000+60.16 грн
3000+57.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 8882.pdf
STB4NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 8882.pdf
STB4NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+69.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 8882.pdf
STB4NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+74.00 грн
25+73.03 грн
100+69.50 грн
250+63.50 грн
500+60.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 8882.pdf
STB4NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
191+74.00 грн
194+73.03 грн
196+72.07 грн
250+68.58 грн
500+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 en.CD00003002.pdf
STB4NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 4231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+203.34 грн
10+126.52 грн
100+87.04 грн
500+65.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 SGST-S-A0004683673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB4NK60ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 1.76 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.76ohm
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB4NK60ZT4 en.CD00003002.pdf
STB4NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.