Інші пропозиції STB4NK60ZT4 за ціною від 44.16 грн до 182.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB4NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2 A, 1.76 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.76ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
на замовлення 4261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB4NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STB4NK60ZT4 | Виробник : STM |
MOSFET N-CH 600V 4A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |