Продукція > ST > STB55NF06LT4

STB55NF06LT4

en.CD00002690.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 18mOhm; 55A; 95W; -55°C~175°C; Substitute: STB55NF06LT4; STB55NF06L-VB; STB55NF06L TSTB55NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+76.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB55NF06LT4 ST

Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 16V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STB55NF06LT4 за ціною від 37.27 грн до 165.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002690.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 STMicroelectronics cd0000269.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.21 грн
2000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 STMicroelectronics cd0000269.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.41 грн
2000+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 STMicroelectronics STB55NF06LT4.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.18 грн
5+101.48 грн
10+89.74 грн
50+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002690.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.10 грн
100+64.49 грн
500+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002690.pdf description MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.13 грн
10+100.96 грн
100+58.87 грн
500+47.38 грн
1000+42.92 грн
2000+39.92 грн
5000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 STMICROELECTRONICS SGSTS18741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.82 грн
10+105.67 грн
50+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 STMICROELECTRONICS SGSTS18741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 description en.CD00002690.pdf
STB55NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+49.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 description cd0000269.pdf
STB55NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+64.21 грн
2000+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 description cd0000269.pdf
STB55NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+64.41 грн
2000+58.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 description STB55NF06LT4.pdf
STB55NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 467 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+138.18 грн
5+101.48 грн
10+89.74 грн
50+70.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 description en.CD00002690.pdf
STB55NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.41 грн
10+95.10 грн
100+64.49 грн
500+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 description en.CD00002690.pdf
STB55NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
на замовлення 2956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+160.13 грн
10+100.96 грн
100+58.87 грн
500+47.38 грн
1000+42.92 грн
2000+39.92 грн
5000+37.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 description SGSTS18741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB55NF06LT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+165.82 грн
10+105.67 грн
50+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 description SGSTS18741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB55NF06LT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.