STB55NF06LT4

STB55NF06LT4 STMicroelectronics


cd0000269.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+55.45 грн
2000+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB55NF06LT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 95W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 16V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STB55NF06LT4 за ціною від 45.00 грн до 193.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000269.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+60.39 грн
2000+55.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002690.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+61.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS18741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.76 грн
200+83.53 грн
500+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics STB55NF06LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.45 грн
10+101.16 грн
13+70.50 грн
36+66.67 грн
250+65.14 грн
500+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics stp55nf06l-1156627.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 55 Amp
на замовлення 3284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.65 грн
10+112.52 грн
100+77.98 грн
250+72.02 грн
500+65.55 грн
1000+56.21 грн
2000+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002690.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.69 грн
10+111.81 грн
100+80.17 грн
500+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics STB55NF06LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 39A; 95W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 39A
Power dissipation: 95W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 993 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.15 грн
10+126.06 грн
13+84.60 грн
36+80.01 грн
250+78.17 грн
500+77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS18741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 55 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 16V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.12 грн
10+129.57 грн
50+109.76 грн
200+83.53 грн
500+61.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 Виробник : ST en.CD00002690.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 18mOhm; 55A; 95W; -55°C~175°C; Substitute: STB55NF06LT4; STB55NF06L-VB; STB55NF06L TSTB55NF06L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4
Код товару: 28024
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ST STP55NF06_.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 55 A
Rds(on), Ohm: 0,018 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/27
Монтаж: THT
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+45.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000269.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000269.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06LT4 STB55NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000269.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.