Продукція > STMICROELECTRONICS > STB55NF06T4
STB55NF06T4

STB55NF06T4 STMicroelectronics

7544.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+30.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB55NF06T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB55NF06T4 за ціною від 30.66 грн до 226.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics 7544.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+30.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics 7544.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+32.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics 7544.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+75.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics 7544.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+78.88 грн
10+78.23 грн
25+77.59 грн
100+74.20 грн
250+68.13 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics 7544.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+81.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics 7544.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+84.25 грн
147+83.56 грн
148+82.87 грн
250+79.24 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002311.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 50 Amp
на замовлення 4286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.63 грн
10+89.00 грн
1000+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMICROELECTRONICS 2307465.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.01 грн
500+87.59 грн
1000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMICROELECTRONICS 2307465.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB55NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27.5 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+117.70 грн
10+107.69 грн
100+101.01 грн
500+87.59 грн
1000+76.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4061933360469&compId=STP55NF06.pdf?ci_sign=52cf51d5ecf8c2c6cd7169550178afbb634b7639 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.66 грн
10+105.42 грн
24+39.53 грн
64+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA4061933360469&compId=STP55NF06.pdf?ci_sign=52cf51d5ecf8c2c6cd7169550178afbb634b7639 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 35A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 35A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 867 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.39 грн
10+131.37 грн
24+47.44 грн
64+44.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002311.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB55NF06T4 STB55NF06T4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002311.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 27.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.