STB57N65M5 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 432.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB57N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STB57N65M5 за ціною від 395.80 грн до 1001.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V |
на замовлення 9520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
на замовлення 2041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STB57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
STB57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STB57N65M5 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26.5A; 250W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 26.5A Power dissipation: 250W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 63mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ |
товару немає в наявності |