STB57N65M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB57N65M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STB57N65M5 за ціною від 357.60 грн до 981.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB57N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V |
на замовлення 5469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STB57N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5 |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
STB57N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STB57N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
STB57N65M5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| STB57N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
на замовлення 5469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 782.07 грн |
| 10+ | 520.67 грн |
| 100+ | 407.75 грн |
| STB57N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh M5
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 814.26 грн |
| 10+ | 554.93 грн |
| 100+ | 378.31 грн |
| 1000+ | 357.60 грн |
| STB57N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 818.34 грн |
| STB57N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 818.34 грн |
| STB57N65M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 650V 42A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 981.51 грн |
| 19+ | 752.48 грн |
| 100+ | 590.54 грн |