Продукція > STMICROELECTRONICS > STB5N80K5
STB5N80K5

STB5N80K5 STMicroelectronics

en.DM00238444.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.97 грн
10+131.57 грн
100+90.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB5N80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB5N80K5 за ціною від 58.49 грн до 217.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB5N80K5 STB5N80K5 Виробник : STMicroelectronics stb5n80k5-1850110.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ 4 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.48 грн
10+143.48 грн
100+86.60 грн
250+77.79 грн
500+77.06 грн
1000+59.89 грн
2000+58.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N80K5 STB5N80K5 Виробник : STMicroelectronics dm00238.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N80K5 Виробник : STMicroelectronics dm00238.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB5N80K5 STB5N80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00238444.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 177 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.