Продукція > STMICROELECTRONICS > STB60NF06LT4
STB60NF06LT4

STB60NF06LT4 STMicroelectronics

cd0000290.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+57.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB60NF06LT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB60NF06LT4 за ціною від 31.50 грн до 187.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000290.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+63.14 грн
10000+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000290.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+67.73 грн
10000+67.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003149635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+116.53 грн
200+89.25 грн
500+65.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000290.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.89 грн
116+106.51 грн
128+96.27 грн
500+83.35 грн
1000+76.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E943018C3A8745&compId=STB60NF06LT4.pdf?ci_sign=a054ff38f5db14e499a34668544132cd5557d2df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 678 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.51 грн
10+112.16 грн
11+84.51 грн
31+79.77 грн
100+77.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.14 грн
10+111.60 грн
100+77.02 грн
500+57.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002907.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 15175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.34 грн
10+125.56 грн
100+75.67 грн
500+67.18 грн
1000+56.79 грн
2000+53.00 грн
5000+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003149635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+187.13 грн
10+136.94 грн
50+116.53 грн
200+89.25 грн
500+65.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E943018C3A8745&compId=STB60NF06LT4.pdf?ci_sign=a054ff38f5db14e499a34668544132cd5557d2df Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.81 грн
10+139.76 грн
11+101.41 грн
31+95.73 грн
100+92.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4
Код товару: 62112
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ST af8493cd4b7bbc988bd36719be904eac.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000290.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000290.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.