STB60NF06LT4 STMicroelectronics
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 55.45 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB60NF06LT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 60A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STB60NF06LT4 за ціною від 31.50 грн до 176.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB60NF06LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.016 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 17496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB60NF06LT4 Код товару: 62112
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 60 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35 Монтаж: SMD |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 60A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
товару немає в наявності |