Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB60NF06LT4
STB60NF06LT4

STB60NF06LT4

af8493cd4b7bbc988bd36719be904eac.pdf
Код товару: 62112
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: ST
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 60 V
Струм стоку Idd, A: 60 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна без ПДВ
1+31.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB60NF06LT4 за ціною від 58.35 грн до 199.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003149635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.11 грн
200+81.52 грн
500+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics STB60NF06LT4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.63 грн
10+118.25 грн
25+99.80 грн
50+88.06 грн
100+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+113.07 грн
100+77.43 грн
500+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003149635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.15 грн
10+128.43 грн
50+108.11 грн
200+81.52 грн
500+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4 STMicroelectronics en.CD00002907.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 SGST-S-A0003149635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB60NF06LT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+108.11 грн
200+81.52 грн
500+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 STB60NF06LT4.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+180.63 грн
10+118.25 грн
25+99.80 грн
50+88.06 грн
100+82.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.63 грн
10+113.07 грн
100+77.43 грн
500+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 SGST-S-A0003149635-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB60NF06LT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+199.15 грн
10+128.43 грн
50+108.11 грн
200+81.52 грн
500+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp
на замовлення 8308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB60NF06LT4 en.CD00002907.pdf
STB60NF06LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику  од. на суму  грн.