STB60NF06LT4
Код товару: 62112
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 60 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2000/35
Монтаж: SMD
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STB60NF06LT4 за ціною від 50.46 грн до 199.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB60NF06LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 42A Power dissipation: 110W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 16mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 663 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 60 Amp |
на замовлення 8606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB60NF06LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 3634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB60NF06LT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STB60NF06LT4 | Виробник : STM |
TO-263 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |