STB6N60M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 49.56 грн |
| 2000+ | 44.14 грн |
| 3000+ | 42.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB6N60M2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STB6N60M2 за ціною від 41.35 грн до 167.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB6N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB6N60M2 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V |
на замовлення 3569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
STB6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
STB6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STB6N60M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD |
товару немає в наявності |