Продукція > STMICROELECTRONICS > STB6N60M2
STB6N60M2

STB6N60M2 STMicroelectronics

en.DM00087513.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+49.76 грн
2000+44.32 грн
3000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB6N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB6N60M2 за ціною від 48.98 грн до 183.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB6N60M2 STB6N60M2 STMicroelectronics 400609899512314b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 STB6N60M2 STMicroelectronics 400609899512314b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.27 грн
14+57.31 грн
25+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 STB6N60M2 STMicroelectronics 400609899512314b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 STB6N60M2 STMicroelectronics en.DM00087513.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.18 грн
10+96.49 грн
100+65.49 грн
500+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 STB6N60M2 STMicroelectronics 400609899512314b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+183.46 грн
120+117.60 грн
129+110.07 грн
200+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 STB6N60M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002229449-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 STB6N60M2 STMicroelectronics 400609899512314b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 STB6N60M2 STMICROELECTRONICS en.DM00087513.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 400609899512314b.pdf
STB6N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+57.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 400609899512314b.pdf
STB6N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+58.27 грн
14+57.31 грн
25+56.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 400609899512314b.pdf
STB6N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+64.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 en.DM00087513.pdf
STB6N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 3569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.18 грн
10+96.49 грн
100+65.49 грн
500+48.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 400609899512314b.pdf
STB6N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+183.46 грн
120+117.60 грн
129+110.07 грн
200+75.39 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 SGST-S-A0002229449-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STB6N60M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1067 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 400609899512314b.pdf
STB6N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6N60M2 en.DM00087513.pdf
STB6N60M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4.5 A, 1.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.06ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.