STB6N60M2

STB6N60M2 STMicroelectronics


400609899512314b.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+41.83 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB6N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V, Power Dissipation (Max): 60W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB6N60M2 за ціною від 36.86 грн до 116.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STB6N60M2 STB6N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00087513.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+47.69 грн
2000+ 43.23 грн
5000+ 41.17 грн
10000+ 36.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB6N60M2 STB6N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00087513.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 232 pF @ 100 V
на замовлення 11959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.05 грн
10+ 85.47 грн
100+ 66.51 грн
500+ 52.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N60M2 STB6N60M2 Виробник : STMicroelectronics stb6n60m2-1850047.pdf MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.83 грн
10+ 94.43 грн
100+ 63.96 грн
500+ 53.74 грн
1000+ 43.8 грн
2000+ 41.26 грн
5000+ 39.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB6N60M2 Виробник : STMicroelectronics 400609899512314b.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній