STB6NK60Z-1 STMicroelectronics
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 26.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB6NK60Z-1 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STB6NK60Z-1 за ціною від 28.01 грн до 28.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB6NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| STB6NK60Z-1 | Виробник : ST |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
STB6NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||
| STB6NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
||||||
|
|
STB6NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
STB6NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||
 |
STB6NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
STB6NK60Z-1 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 600V-1ohm Zener SuperMESH 6A |
товару немає в наявності |