STB6NK60ZT4 STMicroelectronics
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 48+ | 12.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB6NK60ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STB6NK60ZT4 за ціною від 30.94 грн до 190.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB6NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB6NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB6NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB6NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB6NK60ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB6NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 1354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB6NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
STB6NK60ZT4 Код товару: 173715
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
| STB6NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STB6NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
STB6NK60ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |