Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STB6NK60ZT4

STB6NK60ZT4

en.CD00002937.pdf
Код товару: 173715
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB6NK60ZT4 за ціною від 57.42 грн до 245.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics en.cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.15 грн
2000+58.05 грн
3000+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics en.cd00002937.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+59.20 грн
2000+58.11 грн
3000+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS28089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.99 грн
500+79.25 грн
1000+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00002937.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.85 грн
10+150.35 грн
100+104.55 грн
500+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS28089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.23 грн
10+152.00 грн
100+112.99 грн
500+79.25 грн
1000+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 STB6NK60ZT4 STMicroelectronics en.CD00002937.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+245.48 грн
10+153.84 грн
100+96.84 грн
500+79.43 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 en.cd00002937.pdf
STB6NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+59.15 грн
2000+58.05 грн
3000+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 en.cd00002937.pdf
STB6NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+59.20 грн
2000+58.11 грн
3000+57.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 SGSTS28089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB6NK60ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+112.99 грн
500+79.25 грн
1000+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 en.CD00002937.pdf
STB6NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 905 pF @ 25 V
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.85 грн
10+150.35 грн
100+104.55 грн
500+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 SGSTS28089-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB6NK60ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+242.23 грн
10+152.00 грн
100+112.99 грн
500+79.25 грн
1000+66.05 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK60ZT4 en.CD00002937.pdf
STB6NK60ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 6 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.48 грн
10+153.84 грн
100+96.84 грн
500+79.43 грн
1000+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.