STB6NK90ZT4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 154.28 грн |
| 5+ | 129.35 грн |
| 9+ | 93.88 грн |
| 24+ | 88.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB6NK90ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STB6NK90ZT4 за ціною від 85.55 грн до 265.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 6859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5.8A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 973 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 533 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH |
на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 1.56 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.56ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 6829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STB6NK90ZT4 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STB6NK90ZT4 TSTB6NK90zt4 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STB6NK90ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
товар відсутній |