Продукція > STMICROELECTRONICS > STB6NK90ZT4
STB6NK90ZT4

STB6NK90ZT4 STMicroelectronics

en.CD00003175.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+104.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB6NK90ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB6NK90ZT4 за ціною від 76.45 грн до 319.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 STMicroelectronics en.cd00003175.pdf description Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.55 грн
200+133.87 грн
500+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 STMicroelectronics stb6nk90zt4.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+272.05 грн
10+177.00 грн
25+155.39 грн
50+142.10 грн
100+129.63 грн
200+118.83 грн
500+105.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0004683653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.36 грн
10+198.93 грн
50+171.55 грн
200+133.87 грн
500+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 STMicroelectronics en.CD00003175.pdf description Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.12 грн
10+186.89 грн
100+131.68 грн
500+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 STB6NK90ZT4 STMicroelectronics en.CD00003175.pdf description MOSFETs N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.74 грн
10+207.21 грн
100+133.93 грн
500+112.53 грн
1000+104.24 грн
2000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 ST en.CD00003175.pdf description Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STB6NK90ZT4 TSTB6NK90zt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 description en.cd00003175.pdf
STB6NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+135.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 description en.cd00003175.pdf
STB6NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+135.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 description SGST-S-A0004683653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB6NK90ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+171.55 грн
200+133.87 грн
500+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 description stb6nk90zt4.pdf
STB6NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SuperMesh™
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.05 грн
10+177.00 грн
25+155.39 грн
50+142.10 грн
100+129.63 грн
200+118.83 грн
500+105.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 description SGST-S-A0004683653-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STB6NK90ZT4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+292.36 грн
10+198.93 грн
50+171.55 грн
200+133.87 грн
500+112.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 description en.CD00003175.pdf
STB6NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.12 грн
10+186.89 грн
100+131.68 грн
500+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 description en.CD00003175.pdf
STB6NK90ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+319.74 грн
10+207.21 грн
100+133.93 грн
500+112.53 грн
1000+104.24 грн
2000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB6NK90ZT4 description en.CD00003175.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STB6NK90ZT4 TSTB6NK90zt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+76.45 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.