Технічний опис STB6NK90ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 140W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.
Інші пропозиції STB6NK90ZT4 за ціною від 73.39 грн до 313.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
  Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 5.8A Power dissipation: 140W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 614 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 1933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB6NK90ZT4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH |
на замовлення 1383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
STB6NK90ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 140W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
STB6NK90ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 140W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm |
на замовлення 4540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STB6NK90ZT4 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STB6NK90ZT4 TSTB6NK90zt4 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 73.39 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 74.57 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 74.57 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 108.47 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 134.63 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 134.63 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 146.78 грн |
| 10+ | 133.11 грн |
| 25+ | 132.43 грн |
| 100+ | 110.51 грн |
| 250+ | 101.61 грн |
| 500+ | 92.96 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 5.8A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 614 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 273.95 грн |
| 10+ | 178.23 грн |
| 25+ | 156.48 грн |
| 50+ | 143.09 грн |
| 100+ | 130.54 грн |
| 200+ | 119.66 грн |
| 500+ | 106.27 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 306.57 грн |
| 10+ | 194.07 грн |
| 100+ | 136.76 грн |
| 500+ | 108.84 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 313.57 грн |
| 10+ | 240.47 грн |
| 25+ | 236.80 грн |
| 100+ | 165.02 грн |
| 250+ | 134.57 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 900V 5.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 313.57 грн |
| 59+ | 240.47 грн |
| 60+ | 236.80 грн |
| 100+ | 165.02 грн |
| 250+ | 134.57 грн |
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH
на замовлення 1383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB6NK90ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 2.9 A, 2 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 140W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
на замовлення 4540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB6NK90ZT4 |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STB6NK90ZT4 TSTB6NK90zt4
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2Ohm; 5,8A; 140W; -55°C ~ 150°C; STB6NK90ZT4 TSTB6NK90zt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 76.11 грн |