Технічний опис STB75NF20 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 190W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm.
Інші пропозиції STB75NF20 за ціною від 206.98 грн до 458.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB75NF20 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
STB75NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
STB75NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
STB75NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
STB75NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
STB75NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
STB75NF20 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STB75NF20 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STB75NF20 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
на замовлення 1558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
STB75NF20 | STMicroelectronics |
MOSFETs Low charge STripFET |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
STB75NF20 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 69+ | 206.98 грн |
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 243.30 грн |
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 272.74 грн |
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 282.42 грн |
| 4+ | 206.98 грн |
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 303.05 грн |
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 364.09 грн |
| 50+ | 301.06 грн |
| 200+ | 289.77 грн |
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 36+ | 397.06 грн |
| 38+ | 380.00 грн |
| 50+ | 365.53 грн |
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 458.29 грн |
| 10+ | 297.10 грн |
| 100+ | 218.94 грн |
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs Low charge STripFET
MOSFETs Low charge STripFET
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB75NF20 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)