Продукція > STMICROELECTRONICS > STB75NF75LT4
STB75NF75LT4

STB75NF75LT4 STMicroelectronics

cd0000291.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB75NF75LT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 37.5 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STB75NF75LT4 за ціною від 31.10 грн до 216.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000291.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+74.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000291.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+76.79 грн
2000+70.75 грн
5000+70.04 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000291.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+83.17 грн
2000+76.63 грн
5000+75.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS31604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 37.5 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+107.03 грн
500+90.97 грн
1000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics STB75NF75L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Case: D2PAK
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+180.30 грн
5+149.08 грн
8+120.79 грн
21+113.91 грн
250+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002917.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.12 грн
10+131.64 грн
100+91.03 грн
500+71.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS31604-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 37.5 A, 0.009 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+207.47 грн
10+152.31 грн
100+107.03 грн
500+90.97 грн
1000+76.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics stb75nf75l-1850285.pdf MOSFETs N-Ch 75 Volt 75 Amp
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.91 грн
10+155.30 грн
100+94.67 грн
250+92.47 грн
500+77.06 грн
1000+67.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics STB75NF75L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; 300W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Case: D2PAK
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 820 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.36 грн
5+185.77 грн
8+144.95 грн
21+136.69 грн
250+132.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4
Код товару: 62438
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : ST en.CD00002917.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+39.00 грн
10+31.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000291.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000291.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000291.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB75NF75LT4 STB75NF75LT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002917.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.