Технічний опис STB75NF75T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm.
Інші пропозиції STB75NF75T4 за ціною від 91.36 грн до 319.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB75NF75T4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A |
на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
STB75NF75T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
STB75NF75T4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm |
на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 91.36 грн |
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 96.96 грн |
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 105.99 грн |
| 2000+ | 104.02 грн |
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 116.57 грн |
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 116.57 грн |
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 143.27 грн |
| 2000+ | 136.65 грн |
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 198+ | 178.75 грн |
| 500+ | 161.11 грн |
| 1000+ | 148.18 грн |
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 278.49 грн |
| 10+ | 175.76 грн |
| 50+ | 135.92 грн |
| 100+ | 115.50 грн |
| 500+ | 95.46 грн |
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 45+ | 319.87 грн |
| 61+ | 231.44 грн |
| 100+ | 210.74 грн |
| 200+ | 153.32 грн |
| 500+ | 138.60 грн |
| 1000+ | 117.73 грн |
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A
MOSFETs N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB75NF75T4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB75NF75T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 9500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)