STB7ANM60N

STB7ANM60N STMicroelectronics


en.DM00058125.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 5A 0.84Ohm MDmesh II
на замовлення 1371 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.00 грн
10+96.15 грн
100+61.73 грн
500+48.98 грн
1000+44.87 грн
2000+40.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB7ANM60N STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STB7ANM60N за ціною від 47.74 грн до 152.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB7ANM60N STB7ANM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00058125.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.06 грн
10+93.74 грн
100+63.71 грн
500+47.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB7ANM60N STB7ANM60N Виробник : STMicroelectronics en.DM00058125.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 363 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.