STB7NK80ZT4


en.CD00003046.pdf
Код товару: 51282
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STB7NK80ZT4 за ціною від 70.14 грн до 260.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.25 грн
2000+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+94.28 грн
2000+91.20 грн
5000+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.41 грн
2000+95.75 грн
3000+92.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.65 грн
3000+113.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+117.32 грн
2000+113.65 грн
3000+113.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics cd00003046.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.36 грн
10+105.48 грн
100+93.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.43 грн
10+164.48 грн
100+115.48 грн
500+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMicroelectronics en.CD00003046.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 STMICROELECTRONICS SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 cd0000304.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+70.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 en.CD00003046.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+91.25 грн
2000+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 cd0000304.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+94.28 грн
2000+91.20 грн
5000+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 cd00003046.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+99.41 грн
2000+95.75 грн
3000+92.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 cd0000304.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+109.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 cd00003046.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+109.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 cd00003046.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+113.65 грн
3000+113.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 cd00003046.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+117.32 грн
2000+113.65 грн
3000+113.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 cd00003046.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+117.36 грн
10+105.48 грн
100+93.76 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 en.CD00003046.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 5582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.43 грн
10+164.48 грн
100+115.48 грн
500+96.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 en.CD00003046.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.