STB7NK80ZT4 STMicroelectronics
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 45.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB7NK80ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STB7NK80ZT4 за ціною від 51.64 грн до 222.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
на замовлення 1888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STB7NK80ZT4 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB7NK80ZT4 STB7NK80Z TSTB7NK80Z кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STB7NK80ZT4 Код товару: 51282 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
| STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB7NK80ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |