Продукція > STMICROELECTRONICS > STB7NK80ZT4
STB7NK80ZT4

STB7NK80ZT4 STMicroelectronics

cd0000304.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+104.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB7NK80ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB7NK80ZT4 за ціною від 50.06 грн до 270.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+270.00 грн
10+193.40 грн
100+136.18 грн
500+120.55 грн
1000+103.44 грн
2000+97.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4
Код товару: 51282
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00003046.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+50.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.00 грн
25+60.76 грн
100+55.84 грн
500+50.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+75.27 грн
2000+72.81 грн
5000+72.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+81.51 грн
2000+78.85 грн
5000+78.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+102.63 грн
2000+94.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+112.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+131.06 грн
500+103.09 грн
1000+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 5790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.17 грн
10+165.49 грн
100+120.33 грн
500+98.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.74 грн
10+181.15 грн
100+131.06 грн
500+103.09 грн
1000+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 Виробник : ST en.CD00003046.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB7NK80ZT4 STB7NK80Z TSTB7NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+120.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf STB7NK80ZT4 SMD N channel transistors
на замовлення 565 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.44 грн
13+83.72 грн
36+79.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.