Продукція > STMICROELECTRONICS > STB7NK80ZT4
STB7NK80ZT4

STB7NK80ZT4 STMicroelectronics

cd0000304.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+102.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB7NK80ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB7NK80ZT4 за ціною від 51.87 грн до 254.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E99A87481D6745&compId=STB7NK80Z.pdf?ci_sign=1246316e7b8e33bae348d3b851f4a1c20117ae8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+212.30 грн
5+169.43 грн
10+155.18 грн
14+71.25 грн
37+67.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4
Код товару: 51282
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00003046.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+51.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+61.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+65.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+82.30 грн
2000+79.61 грн
5000+78.81 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+96.86 грн
2000+89.59 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.86 грн
500+105.30 грн
1000+93.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
на замовлення 5740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.03 грн
10+168.64 грн
100+122.58 грн
500+102.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS SGSTS28090-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STB7NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.6 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+234.47 грн
10+177.34 грн
100+133.01 грн
500+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00003046.pdf MOSFETs N-Ch 800 Volt 5.2A Zener SuperMESH
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+247.40 грн
10+184.43 грн
100+119.33 грн
500+106.41 грн
1000+90.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E99A87481D6745&compId=STB7NK80Z.pdf?ci_sign=1246316e7b8e33bae348d3b851f4a1c20117ae8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.3A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.76 грн
5+211.13 грн
10+186.21 грн
14+85.51 грн
37+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 Виробник : ST en.CD00003046.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,8Ohm; 5,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB7NK80ZT4 STB7NK80Z TSTB7NK80Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+124.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB7NK80ZT4 Виробник : STMicroelectronics cd0000304.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.