STB80N20M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 405.89 грн |
| 10+ | 262.08 грн |
| 100+ | 189.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB80N20M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB80N20M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Mdmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STB80N20M5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STB80N20M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
STB80N20M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB80N20M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Mdmesh V productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STB80N20M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
MOSFETs N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB80N20M5 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB80N20M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Mdmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STB80N20M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Mdmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)