STB80N20M5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 406.80 грн |
| 10+ | 262.66 грн |
| 100+ | 189.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB80N20M5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V.
Інші пропозиції STB80N20M5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STB80N20M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STB80N20M5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
MOSFETs N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)