STB80N20M5

STB80N20M5 STMicroelectronics


1400314537312189cd002.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 200V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+276.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB80N20M5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB80N20M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Mdmesh V, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції STB80N20M5 за ціною від 194.24 грн до 522.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB80N20M5 STB80N20M5 Виробник : STMICROELECTRONICS en.CD00235904.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB80N20M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 61 A, 0.019 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Mdmesh V
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+496.82 грн
5+406.87 грн
10+316.91 грн
50+291.21 грн
100+265.98 грн
250+263.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5 STB80N20M5 Виробник : STMicroelectronics stb80n20m5-1850455.pdf MOSFETs N-Ch 200V 0.019 61A Mdmesh V
на замовлення 953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.26 грн
10+348.57 грн
100+224.38 грн
500+203.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5 STB80N20M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00235904.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.05 грн
10+339.33 грн
100+246.51 грн
500+194.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5 Виробник : STMicroelectronics 1400314537312189cd002.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00235904.pdf STB80N20M5 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB80N20M5 STB80N20M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00235904.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.