Інші пропозиції STB80NF03L-04-1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
STB80NF03L-04-1 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A I2PAKPackaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: I2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
товару немає в наявності |
|
|
STB80NF03L-04-1 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch, 30V-0.0035ohms 80A |
товару немає в наявності |


