на замовлення 1000 шт:
термін постачання 531-540 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 279.85 грн |
| 10+ | 247.13 грн |
| 100+ | 176.31 грн |
| 500+ | 149.82 грн |
| 1000+ | 126.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB80NF03L-04T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF03L-04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STB80NF03L-04T4 за ціною від 143.27 грн до 340.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB80NF03L-04T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF03L-04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB80NF03L-04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
STB80NF03L-04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| STB80NF03L-04T4 | Виробник : ST |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
STB80NF03L-04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| STB80NF03L-04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
STB80NF03L-04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |