| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 257.77 грн |
| 10+ | 227.63 грн |
| 100+ | 162.40 грн |
| 500+ | 138.00 грн |
| 1000+ | 116.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB80NF03L-04T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF03L-04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET II, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).
Інші пропозиції STB80NF03L-04T4 за ціною від 206.21 грн до 323.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB80NF03L-04T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF03L-04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STB80NF03L-04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
STB80NF03L-04T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF03L-04T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 3500 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET II productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
| STB80NF03L-04T4 | Виробник : ST |
TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||
|
|
STB80NF03L-04T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -60°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V |
товару немає в наявності |