STB80NF10T4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 111.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB80NF10T4 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STB80NF10T4 за ціною від 107.41 грн до 316.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB80NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB80NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB80NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V |
на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB80NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp |
на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STB80NF10T4 | Виробник : ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STB80NF10T4 STB80NF10 TSTB80NF10 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
STB80NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| STB80NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STB80NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
STB80NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STB80NF10T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; D2PAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ |
товару немає в наявності |