STB80NF55-08AG STMicroelectronics
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 119+ | 102.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB80NF55-08AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF55-08AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STB80NF55-08AG за ціною від 81.76 грн до 238.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB80NF55-08AG | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB80NF55-08AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB80NF55-08AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF55-08AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB80NF55-08AG | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF55-08AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB80NF55-08AG | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ 80 A STripFET Power MOSFET |
на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB80NF55-08AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| STB80NF55-08AG | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
STB80NF55-08AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
STB80NF55-08AG | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 55V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |