STB80NF55L-06T4 STMicroelectronics
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 190.10 грн |
| 10+ | 188.14 грн |
| 25+ | 186.26 грн |
| 100+ | 177.86 грн |
| 250+ | 163.01 грн |
| 500+ | 154.94 грн |
| 1000+ | 106.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB80NF55L-06T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF55L-06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції STB80NF55L-06T4 за ціною від 113.61 грн до 279.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF55L-06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch, 55V-0.005ohms 80A |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
STB80NF55L-06T4 Код товару: 174530
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |