STB80NF55L-06T4 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 615 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 129.66 грн |
| 5+ | 108.63 грн |
| 10+ | 83.72 грн |
| 27+ | 79.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB80NF55L-06T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF55L-06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm.
Інші пропозиції STB80NF55L-06T4 за ціною від 95.49 грн до 277.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 8mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 615 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB80NF55L-06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 0.005 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
STB80NF55L-06T4 Код товару: 174530 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
|
|
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STB80NF55L-06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V |
товар відсутній |