
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 234.61 грн |
10+ | 208.47 грн |
100+ | 148.98 грн |
500+ | 126.97 грн |
1000+ | 106.42 грн |
2000+ | 100.55 грн |
10000+ | 99.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB80NF55L-08-1 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: I2PAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STB80NF55L-08-1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
STB80NF55L-08-1 |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
STB80NF55L-08-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|
STB80NF55L-08-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
STB80NF55L-08-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |