Продукція > STMICROELECTRONICS > STB8N65M5
STB8N65M5

STB8N65M5 STMicroelectronics

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979 Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.16 грн
6+153.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB8N65M5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STB8N65M5 за ціною від 88.53 грн до 269.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB8N65M5 STB8N65M5 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9BF6355426745&compId=STB8N65M5.pdf?ci_sign=1205b4d662bf41041e8c95e9e66fb43f072af979 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.80 грн
6+191.22 грн
16+174.16 грн
100+170.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb8n65m5-1850313.pdf MOSFETs MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 1215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.22 грн
10+198.61 грн
100+120.46 грн
500+106.67 грн
1000+91.43 грн
2000+88.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 Виробник : STMicroelectronics std8n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 Виробник : STMicroelectronics std8n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 Виробник : STMicroelectronics std8n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 Виробник : STMicroelectronics std8n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH Si 650V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00253250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N65M5 STB8N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.CD00253250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.