STB8N90K5 STMicroelectronics


en.DM00347189.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; 900V; 8A; 130W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+135.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB8N90K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V.

Інші пропозиції STB8N90K5 за ціною від 100.92 грн до 321.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STB8N90K5 STB8N90K5 STMicroelectronics en.DM00347189.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.42 грн
10+186.80 грн
50+144.97 грн
100+123.40 грн
500+104.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N90K5 STB8N90K5 STMicroelectronics en.DM00347189.pdf MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 906 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+321.66 грн
10+162.32 грн
100+127.98 грн
500+107.50 грн
1000+100.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N90K5 en.DM00347189.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.42 грн
10+186.80 грн
50+144.97 грн
100+123.40 грн
500+104.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB8N90K5 en.DM00347189.pdf
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 906 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+321.66 грн
10+162.32 грн
100+127.98 грн
500+107.50 грн
1000+100.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.