STB8N90K5 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 900V; 8A; Idm: 8A; 130W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB8N90K5 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 130W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB.
Інші пропозиції STB8N90K5 за ціною від 105.56 грн до 299.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STB8N90K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
STB8N90K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package |
на замовлення 906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| STB8N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 299.53 грн |
| 10+ | 189.41 грн |
| 50+ | 146.99 грн |
| 100+ | 125.12 грн |
| 500+ | 105.56 грн |
| STB8N90K5 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
MOSFETs N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a D2PAK package
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)