STB9NK50ZT4
Код товару: 2225
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7,2 A
Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
Монтаж: SMD
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24.00 грн |
| 10+ | 21.60 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| 1000+ | 17.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STB9NK50ZT4 за ціною від 49.37 грн до 157.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.72 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STB9NK50ZT4 |
|
на замовлення 1841 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||
| STB9NK50ZT4 | Виробник : STM |
N-кан. MOSFET 500v, 7.2A, 0.72 Ом, D2PAK, (Zener-Protected SuperMESH) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 7,2 A, Ptot, Вт = 110, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25, Qg, нКл = 32 @ 10 В, Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вкількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| STP10NK60ZFP Код товару: 4775
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 349 шт
270 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 28.90 грн |
| 100pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N101J1HL2-L-Hitano) Код товару: 2904
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N101J1HL-2L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N101J1HL-2L
товару немає в наявності
очікується:
57 шт
57 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.10 грн |
| 1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2456
4
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується 15.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| VCR-14D431K (S14K275,TVR14431,GNR-14D431K) (варистор) Код товару: 2062
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 275/350 V
Uвар, V: 430(387...473) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 710@50 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 460 pF
Розмір: 14D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 275/350 V
Uвар, V: 430(387...473) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 710@50 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 460 pF
Розмір: 14D
товару немає в наявності
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.00 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |
| VCR-07D431K (S07K275,TVR07431,GNR-07D431K) (варистор) Код товару: 1965
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 275/350 V
Uвар, V: 430(387...473) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 710@10 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 1200 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,25 W
Ємність, pF: 115 pF
Розмір: 7D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 275/350 V
Uвар, V: 430(387...473) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 710@10 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 1200 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,25 W
Ємність, pF: 115 pF
Розмір: 7D
у наявності: 2991 шт
2770 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
80 шт - РАДІОМАГ-Львів
45 шт - РАДІОМАГ-Харків
95 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.00 грн |
| 100+ | 2.60 грн |
| 1000+ | 2.20 грн |









