STB9NK50ZT4
Код товару: 2225
Виробник: STКорпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7,2 A
Rds(on), Ohm: 0,72 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 910/32
Монтаж: SMD
у наявності 55 шт:
32 шт - склад
11 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 24.00 грн |
| 10+ | 21.60 грн |
| 100+ | 19.90 грн |
| 1000+ | 17.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції STB9NK50ZT4 за ціною від 49.26 грн до 156.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 500V 7.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK50ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 7.2 A, 0.72 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.6A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V |
на замовлення 1224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| STB9NK50ZT4 |
|
на замовлення 1841 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||
| STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 7,2 A; Ptot, Вт = 110; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 910 @ 25; Qg, нКл = 32 @ 10 В; Rds = 850 мОм @ 3.6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4,5 В @ 100 мкА; D2PAK |
на замовлення 800 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||
|
STB9NK50ZT4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 500 Volt 7.2 A Zener SuperMESH |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| GS1M Код товару: 10927
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: SMA/DO-214AC
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Корпус: SMA/DO-214AC
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 1447 шт
1247 шт - склад
200 шт - РАДІОМАГ-Київ
200 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 23+ | 0.90 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| STP10NK60ZFP Код товару: 4775
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220FP
Uds,V: 600 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,75 Ohm
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 365 шт
284 шт - склад
47 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
47 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
16 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 28.90 грн |
| 100pF 50V NP0 J(+/-5%) (R15N101J1HL2-L-Hitano) Код товару: 2904
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N101J1HL-2L
Керамічні конденсатори вивідні > Багатошарові конденсатори
Ємність: 100 pF
Номін.напруга: 50 V
ТКЕ: NP0
Точність: ±5% J
Крок: 2,54 mm
Part Number: R15N101J1HL-2L
у наявності: 164 шт
57 шт - склад
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
45 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.50 грн |
| 100+ | 1.30 грн |
| 1000+ | 1.10 грн |
| 1000uF 25V EXR 13x21mm (low imp.) (EXR102M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний) Код товару: 2456
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 1000 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 13х21mm
Строк життя: 5000 годин
товару немає в наявності
очікується:
4000 шт
4000 шт - очікується 15.06.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 8.00 грн |
| 10+ | 7.20 грн |
| 100+ | 6.50 грн |
| 1000+ | 5.80 грн |
| VCR-14D431K (S14K275,TVR14431,GNR-14D431K) (варистор) Код товару: 2062
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 275/350 V
Uвар, V: 430(387...473) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 710@50 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 460 pF
Розмір: 14D
Пасивні компоненти > Варистори
Uроб AC/DC, V: 275/350 V
Uвар, V: 430(387...473) V
Макс. напруга і струм спрацьовування, В@A: 710@50 В@A
Iмакс.(8/20мкс): 4500 Iмакс.(8/20мкс)
Потужність, W: 0,6 W
Ємність, pF: 460 pF
Розмір: 14D
у наявності: 73 шт
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
41 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
41 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
2000 шт
2000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 10.00 грн |
| 10+ | 9.00 грн |
| 100+ | 8.00 грн |
| 1000+ | 6.50 грн |









