STB9NK60ZT4 STMicroelectronics
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 93.95 грн |
| 2000+ | 92.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STB9NK60ZT4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 125W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm.
Інші пропозиції STB9NK60ZT4 за ціною від 52.79 грн до 294.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STB9NK60ZT4 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STB9NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V |
на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
STB9NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
STB9NK60ZT4 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
STB9NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
STB9NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 125W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm |
на замовлення 469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| STB9NK60ZT4 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 950mOhm; 7A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB9NK60ZT4 STB9NK60Z TSTB9NK60Z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| STB9NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 94.48 грн |
| 2000+ | 92.79 грн |
| STB9NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 294.06 грн |
| 10+ | 186.17 грн |
| 100+ | 131.04 грн |
| STB9NK60ZT4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB9NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| STB9NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB9NK60ZT4 |
|
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| STB9NK60ZT4 |
|
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 950mOhm; 7A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB9NK60ZT4 STB9NK60Z TSTB9NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 950mOhm; 7A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB9NK60ZT4 STB9NK60Z TSTB9NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 52.79 грн |