Продукція > STMICROELECTRONICS > STB9NK60ZT4
STB9NK60ZT4

STB9NK60ZT4 STMicroelectronics

1115556775344938cd00002961.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+43.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB9NK60ZT4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STB9NK60ZT4 за ціною від 46.92 грн до 285.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics 1115556775344938cd00002961.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+111.75 грн
2000+110.98 грн
5000+108.72 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics 1115556775344938cd00002961.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+117.41 грн
2000+116.60 грн
5000+114.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS 2307221.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+163.41 грн
500+134.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002961.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.84 грн
10+184.53 грн
100+143.40 грн
500+116.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMICROELECTRONICS 2307221.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STB9NK60ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.5 A, 0.85 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+270.69 грн
10+201.37 грн
100+163.41 грн
500+134.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics stb9nk60z-1850287.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 7 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.81 грн
10+208.97 грн
100+141.99 грн
500+122.86 грн
1000+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics 1115556775344938cd00002961.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 Виробник : ST en.CD00002961.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 950mOhm; 7A; 125W; -55°C ~ 150°C; STB9NK60ZT4 STB9NK60Z TSTB9NK60Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+46.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4
Код товару: 108646
Додати до обраних Обраний товар

en.CD00002961.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics 1115556775344938cd00002961.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E925B133BBC745&compId=STB9NK60Z.pdf?ci_sign=4e7dc5c202eabb713119f0a0cdb548f976752701 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics en.CD00002961.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK60ZT4 STB9NK60ZT4 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E925B133BBC745&compId=STB9NK60Z.pdf?ci_sign=4e7dc5c202eabb713119f0a0cdb548f976752701 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.4A; 125W; D2PAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.