Продукція > STMICROELECTRONICS > STB9NK80Z
STB9NK80Z

STB9NK80Z STMicroelectronics

en.DM00081885.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.51 грн
10+135.72 грн
100+107.99 грн
500+85.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB9NK80Z STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: D2PAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції STB9NK80Z за ціною від 71.14 грн до 184.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB9NK80Z STB9NK80Z Виробник : STMicroelectronics stb9nk80z-1850584.pdf MOSFET N-CH 800V 1.5Ohm typ 5.2A Zener-protecte
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.53 грн
10+151.44 грн
100+104.47 грн
250+102.26 грн
500+88.28 грн
1000+74.30 грн
2000+71.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK80Z STB9NK80Z Виробник : STMicroelectronics stb9nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK80Z STB9NK80Z Виробник : STMicroelectronics stb9nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK80Z STB9NK80Z Виробник : STMicroelectronics stb9nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK80Z Виробник : STMicroelectronics stb9nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.2A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK80Z STB9NK80Z Виробник : STMicroelectronics en.DM00081885.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1138 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.