Продукція > STMICROELECTRONICS > STB9NK90Z
STB9NK90Z

STB9NK90Z STMicroelectronics

en.CD00003327.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72nC
на замовлення 935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.95 грн
10+130.04 грн
100+104.03 грн
250+97.32 грн
500+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STB9NK90Z STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V.

Інші пропозиції STB9NK90Z за ціною від 150.55 грн до 427.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STB9NK90Z STB9NK90Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003327.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.73 грн
10+262.53 грн
100+188.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK90Z STB9NK90Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003327.pdf MOSFETs N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+427.71 грн
10+282.94 грн
100+176.34 грн
500+161.00 грн
1000+150.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK90Z Виробник : STM en.CD00003327.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB9NK90Z STB9NK90Z Виробник : STMicroelectronics en.CD00003327.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.