Продукція > STMICROELECTRONICS > STD100N10F7
STD100N10F7

STD100N10F7 STMicroelectronics

en.DM00066568.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+66.11 грн
7500+59.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD100N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 120W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.

Інші пропозиції STD100N10F7 за ціною від 64.97 грн до 273.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+99.38 грн
150+97.82 грн
152+96.26 грн
155+91.32 грн
250+83.17 грн
500+78.51 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 10957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.99 грн
10+135.73 грн
50+103.93 грн
100+87.91 грн
500+71.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics en.DM00066568.pdf MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120
на замовлення 12665 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+218.66 грн
10+114.16 грн
100+87.41 грн
500+72.60 грн
1000+71.34 грн
2500+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+239.49 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+273.64 грн
10+179.52 грн
100+132.94 грн
500+106.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005239062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005239062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 stb100n10f7.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+92.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 stb100n10f7.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+92.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 stb100n10f7.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
147+99.38 грн
150+97.82 грн
152+96.26 грн
155+91.32 грн
250+83.17 грн
500+78.51 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 en.DM00066568.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 10957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.99 грн
10+135.73 грн
50+103.93 грн
100+87.91 грн
500+71.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 en.DM00066568.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120
на замовлення 12665 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.66 грн
10+114.16 грн
100+87.41 грн
500+72.60 грн
1000+71.34 грн
2500+64.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 stb100n10f7.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+239.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 stb100n10f7.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 3261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
61+239.49 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 stb100n10f7.pdf
STD100N10F7
Виробник: STMicroelectronics
STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+273.64 грн
10+179.52 грн
100+132.94 грн
500+106.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 SGST-S-A0005239062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD100N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 SGST-S-A0005239062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD100N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 120W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.