Продукція > STMICROELECTRONICS > STD100N10F7
STD100N10F7

STD100N10F7 STMicroelectronics

stb100n10f7.pdf Виробник: STMicroelectronics
STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+72.23 грн
5000+71.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD100N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD100N10F7 за ціною від 60.08 грн до 207.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+74.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.39 грн
5000+76.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00066568.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+97.62 грн
500+89.07 грн
1000+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+103.13 грн
139+89.66 грн
140+89.16 грн
161+74.49 грн
250+68.55 грн
500+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+106.49 грн
118+105.46 грн
134+93.05 грн
500+79.06 грн
1000+71.63 грн
2000+67.17 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+110.50 грн
10+96.06 грн
25+95.52 грн
100+79.81 грн
250+73.45 грн
500+67.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00066568.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.85 грн
10+114.59 грн
100+97.62 грн
500+89.07 грн
1000+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.96 грн
10+111.38 грн
100+83.24 грн
500+71.58 грн
2500+60.76 грн
10000+60.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 2002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.91 грн
10+129.82 грн
100+89.64 грн
500+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics 1015587348572464dm00066568.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics 1015587348572464dm00066568.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD80B9A52BA54340D2&compId=std100n10f7.pdf?ci_sign=2aa1bb99134c729dce78421d2ff644d7ac67c9da Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; Idm: 320A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.