Продукція > STMICROELECTRONICS > STD100N10F7
STD100N10F7

STD100N10F7 STMicroelectronics

en.DM00066568.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD100N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015).

Інші пропозиції STD100N10F7 за ціною від 61.64 грн до 227.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.21 грн
5000+70.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+76.29 грн
5000+75.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+101.67 грн
139+88.39 грн
140+87.89 грн
161+73.43 грн
250+67.58 грн
500+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+104.98 грн
118+103.96 грн
134+91.73 грн
500+77.94 грн
1000+70.62 грн
2000+66.22 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+108.93 грн
10+94.70 грн
25+94.17 грн
100+78.68 грн
250+72.41 грн
500+66.04 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.60 грн
10+97.78 грн
100+83.36 грн
500+70.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005239062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+132.90 грн
500+105.33 грн
1000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7-1850220.pdf MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120
на замовлення 11065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.59 грн
10+120.62 грн
100+82.25 грн
250+81.50 грн
500+69.42 грн
1000+66.86 грн
2500+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00066568.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+227.71 грн
10+169.30 грн
100+134.60 грн
500+104.54 грн
1000+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics 1015587348572464dm00066568.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics 1015587348572464dm00066568.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf STD100N10F7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.