Продукція > STMICROELECTRONICS > STD100N10F7
STD100N10F7

STD100N10F7 STMicroelectronics

en.DM00066568.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.83 грн
5000+62.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD100N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD100N10F7 за ціною від 62.95 грн до 212.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.94 грн
5000+72.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+79.23 грн
5000+78.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+80.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00066568.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.28 грн
500+93.32 грн
1000+84.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+105.58 грн
139+91.78 грн
140+91.27 грн
161+76.26 грн
250+70.18 грн
500+64.01 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
117+109.02 грн
118+107.96 грн
134+95.26 грн
500+80.94 грн
1000+73.33 грн
2000+68.77 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics stb100n10f7.pdf STD100N10F7 STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+113.12 грн
10+98.34 грн
25+97.79 грн
100+81.71 грн
250+75.19 грн
500+68.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00066568.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VII
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.87 грн
10+120.07 грн
100+102.28 грн
500+93.32 грн
1000+84.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf MOSFETs N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+158.17 грн
10+116.71 грн
100+87.21 грн
500+75.00 грн
2500+63.67 грн
10000+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics en.DM00066568.pdf Description: MOSFET N CH 100V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.70 грн
10+133.05 грн
100+91.85 грн
500+71.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics 1015587348572464dm00066568.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD100N10F7 Виробник : STMicroelectronics 1015587348572464dm00066568.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.