Продукція > STMICROELECTRONICS > STD10LN80K5
STD10LN80K5

STD10LN80K5 STMicroelectronics

en.DM00273040.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+93.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD10LN80K5 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD10LN80K5 за ціною від 88.42 грн до 217.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD10LN80K5 STD10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00273040.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 800V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
на замовлення 6952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+203.24 грн
10+158.25 грн
100+115.09 грн
500+93.27 грн
1000+88.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD10LN80K5 STD10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics std10ln80k5-1850426.pdf MOSFETs N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ 8 A MDmesh K5 Power MOSFET
на замовлення 2115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.48 грн
10+179.77 грн
25+147.52 грн
100+126.23 грн
250+119.63 грн
500+112.29 грн
1000+96.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD10LN80K5 STD10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics dm0027.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10LN80K5 Виробник : STMicroelectronics dm0027.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.