Продукція > STMICROELECTRONICS > STD10N60DM2
STD10N60DM2

STD10N60DM2 STMicroelectronics

en.DM00299236.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
на замовлення 1612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.21 грн
10+78.82 грн
100+54.78 грн
500+44.09 грн
1000+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD10N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 109W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD10N60DM2 за ціною від 40.29 грн до 118.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD10N60DM2 STD10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics std10n60dm2-1850548.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 0.440 Ohm typ 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.16 грн
10+92.00 грн
100+55.70 грн
250+55.63 грн
500+47.12 грн
1000+43.30 грн
2500+40.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60DM2 STD10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics std10n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60DM2 STD10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics std10n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics std10n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60DM2 STD10N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299236.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.