Продукція > STMICROELECTRONICS > STD10N60M2
STD10N60M2

STD10N60M2 STMicroelectronics

std10n60m2.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2147 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+104.77 грн
10+72.12 грн
50+62.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD10N60M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 85W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M2, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm.

Інші пропозиції STD10N60M2 за ціною від 33.03 грн до 199.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD10N60M2 STD10N60M2 STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.14 грн
10+73.14 грн
100+48.91 грн
500+36.16 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2 STD10N60M2 STMICROELECTRONICS 2371896.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 8501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.96 грн
10+129.24 грн
100+80.07 грн
500+56.99 грн
1000+48.56 грн
5000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2 STD10N60M2 STMicroelectronics stp10n60m2.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2 stp10n60m2.pdf
STD10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.14 грн
10+73.14 грн
100+48.91 грн
500+36.16 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2 2371896.pdf
STD10N60M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD10N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7.5 A, 0.55 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 8501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+199.96 грн
10+129.24 грн
100+80.07 грн
500+56.99 грн
1000+48.56 грн
5000+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10N60M2 stp10n60m2.pdf
STD10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 9655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.