Інші пропозиції STD10NF30 за ціною від 36.17 грн до 155.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD10NF30 | Виробник : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD10NF30 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 103W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MESH OVERLAY Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD10NF30 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CHANNEL 300V 10A DPAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 103W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD10NF30 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 300 V, 280 mOhm typ., 10 A, STripFET II Power MOSFET |
на замовлення 3518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD10NF30 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NF30 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 10 A, 0.33 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 103W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MESH OVERLAY Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.33ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|