STD10NM60N STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsSTD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 78.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD10NM60N STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції STD10NM60N за ціною від 77.39 грн до 292.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2391 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2037 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A |
на замовлення 3663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V |
на замовлення 3090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD10NM60N | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD10NM60N | Виробник : STMicroelectronics |
STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |