Продукція > STMICROELECTRONICS > STD10NM60N
STD10NM60N

STD10NM60N STMicroelectronics

std10nm60n.pdf Виробник: STMicroelectronics
STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+74.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD10NM60N STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD10NM60N за ціною від 44.34 грн до 126.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+79.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D743FFB6466745&compId=STD10NM60N.pdf?ci_sign=f941660c00468060e164548725c246bda9f61e1c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.38 грн
20+46.71 грн
55+44.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+97.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+104.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+107.57 грн
117+106.05 грн
118+104.55 грн
120+99.37 грн
250+90.67 грн
500+85.75 грн
1000+84.46 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787D743FFB6466745&compId=STD10NM60N.pdf?ci_sign=f941660c00468060e164548725c246bda9f61e1c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.45 грн
20+58.21 грн
55+53.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+109.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf MOSFETs N-channel 600 V Mdmesh 10A
на замовлення 4207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+110.84 грн
10+107.51 грн
100+91.97 грн
500+91.21 грн
2500+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+115.25 грн
10+113.63 грн
25+112.02 грн
100+106.47 грн
250+97.14 грн
500+91.88 грн
1000+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+117.93 грн
107+116.12 грн
108+114.32 грн
110+108.49 грн
250+98.84 грн
500+93.34 грн
1000+91.72 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002027437-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10NM60N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.92 грн
10+120.22 грн
100+119.37 грн
500+108.46 грн
1000+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+126.35 грн
10+124.42 грн
25+122.48 грн
100+116.24 грн
250+105.90 грн
500+100.01 грн
1000+98.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf STD10NM60N STMicroelectronics Transistors MOSFETs N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R - Arrow.com
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics dm00252.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10NM60N STD10NM60N Виробник : STMicroelectronics std10nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.