STD10NM60ND STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.18 грн |
| 10+ | 131.34 грн |
| 100+ | 90.55 грн |
| 500+ | 68.61 грн |
| 1000+ | 63.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD10NM60ND STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD10NM60ND за ціною від 62.75 грн до 232.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD10NM60ND | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD10NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR |
на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
STD10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STD10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| STD10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STD10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STD10NM60ND | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 70W Case: DPAK Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |