Продукція > STMICROELECTRONICS > STD10NM60ND
STD10NM60ND

STD10NM60ND STMicroelectronics

std10nm60nd.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+59.75 грн
25+ 44.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD10NM60ND STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V.

Інші пропозиції STD10NM60ND за ціною від 52.51 грн до 162.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD10NM60ND STD10NM60ND Виробник : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
на замовлення 3701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+98.67 грн
10+ 78.88 грн
100+ 59.2 грн
250+ 58.6 грн
500+ 55.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD10NM60ND STD10NM60ND Виробник : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.87 грн
10+ 109.74 грн
100+ 87.33 грн
500+ 69.34 грн
1000+ 58.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD10NM60ND STD10NM60ND Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003588212-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+162.86 грн
10+ 121.02 грн
100+ 69.25 грн
500+ 58.06 грн
1000+ 52.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD10NM60ND STD10NM60ND Виробник : STMicroelectronics std10nm60nd.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STD10NM60ND STD10NM60ND Виробник : STMicroelectronics 14077916024011006.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD10NM60ND STD10NM60ND Виробник : STMicroelectronics std10nm60nd.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD10NM60ND Виробник : STMicroelectronics 14077916024011006.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD10NM60ND Виробник : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
STD10NM60ND STD10NM60ND Виробник : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Description: MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 577 pF @ 50 V
товар відсутній
STD10NM60ND Виробник : STMicroelectronics stpower-n-channel-mosfets-gt-350-v-to-700-v.html Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 32A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній