Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > STD10P6F6

STD10P6F6

STD10P6F6.pdf
Код товару: 171157
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD10P6F6 за ціною від 19.24 грн до 97.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD10P6F6 STD10P6F6 STMicroelectronics STD10P6F6.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.96 грн
5000+23.14 грн
7500+22.19 грн
12500+19.83 грн
17500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 48404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.60 грн
500+31.17 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 48404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
50+60.31 грн
100+45.60 грн
500+31.17 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 STMicroelectronics STD10P6F6.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 21903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.55 грн
100+39.43 грн
500+28.90 грн
1000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 STMicroelectronics STD10P6F6.pdf MOSFETs P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
на замовлення 10735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6.pdf
STD10P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+25.96 грн
5000+23.14 грн
7500+22.19 грн
12500+19.83 грн
17500+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD10P6F6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 48404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+45.60 грн
500+31.17 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD10P6F6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 48404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+95.92 грн
50+60.31 грн
100+45.60 грн
500+31.17 грн
1000+26.34 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6.pdf
STD10P6F6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 21903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.98 грн
10+59.55 грн
100+39.43 грн
500+28.90 грн
1000+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6.pdf
STD10P6F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
на замовлення 10735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.