STD10P6F6

STD10P6F6 STMicroelectronics


117658500681502dm000.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD10P6F6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.

Інші пропозиції STD10P6F6 за ціною від 23.75 грн до 68.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00051198.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 43092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.69 грн
500+ 35.25 грн
1000+ 26.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics STD10P6F6.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+55.94 грн
8+ 46.72 грн
24+ 33.67 грн
65+ 32.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
204+56.28 грн
239+ 47.93 грн
279+ 41.03 грн
295+ 37.5 грн
500+ 32.55 грн
1000+ 29.33 грн
Мінімальне замовлення: 204
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 43092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+62.38 грн
50+ 53.57 грн
100+ 44.69 грн
500+ 35.25 грн
1000+ 26.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00051198.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 2501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.5 грн
10+ 50.02 грн
100+ 38.86 грн
500+ 30.91 грн
1000+ 25.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics STD10P6F6.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+67.13 грн
5+ 58.22 грн
24+ 40.4 грн
65+ 38.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics std10p6f6-1850458.pdf MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
на замовлення 16210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.72 грн
10+ 56.74 грн
100+ 38.32 грн
500+ 32.52 грн
1000+ 26.52 грн
2500+ 25 грн
5000+ 23.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD10P6F6
Код товару: 171157
en.DM00051198.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній