Продукція > STMICROELECTRONICS > STD10P6F6
STD10P6F6

STD10P6F6 STMicroelectronics

117658500681502dm000.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD10P6F6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD10P6F6 за ціною від 22.75 грн до 111.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.89 грн
5000+31.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+47.00 грн
500+32.44 грн
1000+27.27 грн
5000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9CE84F4898745&compId=STD10P6F6.pdf?ci_sign=64125d4c6a505345c2fabd5715aa1b4c5445335d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+82.20 грн
10+52.35 грн
50+41.15 грн
100+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9CE84F4898745&compId=STD10P6F6.pdf?ci_sign=64125d4c6a505345c2fabd5715aa1b4c5445335d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.65 грн
10+65.24 грн
50+49.38 грн
100+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 66072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+99.18 грн
14+66.21 грн
100+47.00 грн
500+32.44 грн
1000+27.27 грн
5000+22.75 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00051198.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.12 грн
10+63.89 грн
100+42.39 грн
500+31.11 грн
1000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+111.43 грн
200+73.50 грн
500+62.52 грн
1000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00051198.pdf MOSFETs P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
на замовлення 12845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.51 грн
10+70.26 грн
100+40.54 грн
500+31.70 грн
1000+28.91 грн
2500+25.97 грн
5000+23.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6
Код товару: 171157
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00051198.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00051198.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.