STD10P6F6


STD10P6F6.pdf
Код товару: 171157
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD10P6F6 за ціною від 19.36 грн до 112.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics STD10P6F6.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.23 грн
5000+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.36 грн
5000+31.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.78 грн
500+29.22 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics STD10P6F6.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 6516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.20 грн
10+55.57 грн
100+36.78 грн
500+26.96 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics STD10P6F6.pdf MOSFETs P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
на замовлення 10735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.20 грн
10+59.63 грн
100+34.31 грн
500+26.90 грн
1000+24.39 грн
2500+21.80 грн
5000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 64104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+104.36 грн
50+66.04 грн
100+43.78 грн
500+29.22 грн
1000+24.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
115+112.97 грн
200+74.51 грн
500+63.39 грн
1000+49.06 грн
Мінімальне замовлення: 115
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 Виробник : STM STD10P6F6.pdf MOSFET P-CH 60V 10A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.