Продукція > STMICROELECTRONICS > STD10P6F6
STD10P6F6

STD10P6F6 STMicroelectronics

117658500681502dm000.pdf Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD10P6F6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD10P6F6 за ціною від 23.45 грн до 101.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00051198.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.88 грн
500+35.61 грн
1000+29.53 грн
5000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9CE84F4898745&compId=STD10P6F6.pdf?ci_sign=64125d4c6a505345c2fabd5715aa1b4c5445335d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+84.85 грн
10+53.66 грн
24+39.00 грн
66+36.88 грн
500+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00051198.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.64 грн
10+58.86 грн
100+41.79 грн
500+30.70 грн
1000+27.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
129+95.63 грн
194+63.51 грн
200+61.30 грн
500+43.66 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 129
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMICROELECTRONICS en.DM00051198.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD10P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 10 A, 0.16 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 67660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+98.43 грн
13+65.59 грн
100+48.88 грн
500+35.61 грн
1000+29.53 грн
5000+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00051198.pdf MOSFETs P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
на замовлення 12880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.60 грн
10+64.81 грн
100+39.41 грн
500+30.94 грн
1000+28.14 грн
2500+25.95 грн
5000+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E9CE84F4898745&compId=STD10P6F6.pdf?ci_sign=64125d4c6a505345c2fabd5715aa1b4c5445335d Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.2A; 35W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.2A
Power dissipation: 35W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.83 грн
10+66.87 грн
24+46.80 грн
66+44.25 грн
500+43.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6
Код товару: 171157
Додати до обраних Обраний товар

en.DM00051198.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics 117658500681502dm000.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD10P6F6 STD10P6F6 Виробник : STMicroelectronics en.DM00051198.pdf Description: MOSFET P CH 60V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.