
STD10PF06-1 STMicroelectronics
на замовлення 99967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 37.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD10PF06-1 STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V 10A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V.
Інші пропозиції STD10PF06-1 за ціною від 39.06 грн до 40.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STD10PF06-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
STD10PF06-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 99967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
STD10PF06-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
STD10PF06-1 Код товару: 143519
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||
![]() |
STD10PF06-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
STD10PF06-1 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |