STD110N8F6 STMICROELECTRONICS
Виробник: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD110N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 70.91 грн |
| 500+ | 58.69 грн |
| 1000+ | 50.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD110N8F6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD110N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm.
Інші пропозиції STD110N8F6 за ціною від 44.65 грн до 120.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD110N8F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD110N8F6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ 110 A, STripFET F6 Power MOSFET |
на замовлення 13484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD110N8F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD110N8F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD110N8F6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD110N8F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 0.0056 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD110N8F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD110N8F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD110N8F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
STD110N8F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| STD110N8F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
STD110N8F6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 80V 80A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9130 pF @ 40 V |
товар відсутній |