STD11N50M2 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 99.58 грн |
| 10+ | 60.56 грн |
| 100+ | 40.30 грн |
| 500+ | 29.66 грн |
| 1000+ | 27.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD11N50M2 STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V.
Інші пропозиції STD11N50M2 за ціною від 22.09 грн до 101.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD11N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 500 V, 0.45 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
на замовлення 1702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| STD11N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 500, Ciss, пФ @ Uds, В = 395pF @ 100V, Qg, нКл = 12, Rds = 0,53 Ом, Ugs(th) = 25, Р, Вт = 85, Тексп, °C = -55...150,... Група товару: Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
STD11N50M2 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |