Продукція > STMICROELECTRONICS > STD11N60DM2
STD11N60DM2

STD11N60DM2 STMicroelectronics

en.DM00299437.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 1288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.39 грн
10+93.44 грн
100+63.61 грн
500+47.69 грн
1000+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD11N60DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD11N60DM2 за ціною від 41.14 грн до 160.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD11N60DM2 STD11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299437.pdf MOSFETs N-channel 600 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.25 грн
10+101.03 грн
100+59.82 грн
500+47.83 грн
1000+45.39 грн
2500+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299437.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 10A; 110W; DPAK,TO252; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 25V
On-state resistance: 370mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 16.5nC
Electrical mounting: SMT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+63.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STD11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics std11n60dm2.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N60DM2 STD11N60DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00299437.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.