Продукція > STMICROELECTRONICS > STD11N60M6

STD11N60M6 STMICROELECTRONICS

Name: STD11N60M6
Brand: STMICROELECTRONICS
SKU: 3859387-6
Price: 867.06 UAH
Availability: InStock

Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
18+	48.17 грн
100+	47.23 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис STD11N60M6 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STD11N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції STD11N60M6

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
STD11N60M6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD11N60M6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD11N60M6	Виробник : STMicroelectronics	Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD11N60M6	Виробник : STMicroelectronics	Description: DISCRETE Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 387 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
STD11N60M6	Виробник : STMicroelectronics	MOSFETs N-channel 600 V, 500 mOhm typ., 8 A MDmesh M6 Power MOSFET in a DPAK package	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.