Продукція > STMICROELECTRONICS > STD11N65M2
STD11N65M2

STD11N65M2 STMICROELECTRONICS

1876571.pdf
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+79.82 грн
500+62.57 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD11N65M2 STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 85W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD11N65M2 за ціною від 50.51 грн до 214.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD11N65M2 STD11N65M2 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008418849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.51 грн
10+109.73 грн
100+79.82 грн
500+62.57 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 STD11N65M2 STMicroelectronics stp11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+214.04 грн
103+137.66 грн
200+129.18 грн
500+95.47 грн
1000+87.56 грн
2000+64.33 грн
2500+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 STD11N65M2 STMicroelectronics en.DM00116928.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 STMicroelectronics en.DM00116928.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 SGST-S-A0008418849-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD11N65M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+171.51 грн
10+109.73 грн
100+79.82 грн
500+62.57 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 stp11n65m2.pdf
STD11N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+214.04 грн
103+137.66 грн
200+129.18 грн
500+95.47 грн
1000+87.56 грн
2000+64.33 грн
2500+53.66 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 en.DM00116928.pdf
STD11N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 en.DM00116928.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+64.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.