Продукція > STMICROELECTRONICS > STD11N65M2
STD11N65M2

STD11N65M2 STMicroelectronics

en.DM00116928.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 7A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.5nC
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+61.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD11N65M2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 85W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm.

Інші пропозиції STD11N65M2 за ціною від 62.84 грн до 228.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD11N65M2 STD11N65M2 STMicroelectronics stp11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 STD11N65M2 STMicroelectronics stp11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 STD11N65M2 STMicroelectronics stp11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+185.91 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 STD11N65M2 STMicroelectronics stp11n65m2.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+228.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 STD11N65M2 STMicroelectronics en.DM00116928.pdf MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 STD11N65M2 STMICROELECTRONICS 1876571.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 STD11N65M2 STMICROELECTRONICS 1876571.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 stp11n65m2.pdf
STD11N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 stp11n65m2.pdf
STD11N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+62.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 stp11n65m2.pdf
STD11N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
77+185.91 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 stp11n65m2.pdf
STD11N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+228.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 en.DM00116928.pdf
STD11N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 1876571.pdf
STD11N65M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M2 1876571.pdf
STD11N65M2
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.