STD11N65M5


en.DM00049307.pdf
Код товару: 122180
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD11N65M5 за ціною від 49.25 грн до 195.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb11n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
202+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 202
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics stb11n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+74.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005001052-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.42 грн
500+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 3211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.67 грн
10+103.49 грн
100+70.76 грн
500+53.29 грн
1000+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+176.10 грн
10+111.71 грн
100+66.74 грн
500+53.46 грн
1000+52.13 грн
2500+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 Виробник : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005001052-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.67 грн
50+126.37 грн
100+86.42 грн
500+64.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 Виробник : STMicroelectronics en.DM00049307.pdf
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.