Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STD11N65M5

STD11N65M5

en.DM00049307.pdf
Код товару: 122180
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STD11N65M5 за ціною від 54.05 грн до 182.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD11N65M5 STD11N65M5 STMicroelectronics stb11n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.25 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 STMicroelectronics stb11n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 STMicroelectronics en.DM00049307.pdf Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.88 грн
10+113.27 грн
100+77.49 грн
500+58.36 грн
1000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 STMicroelectronics en.DM00049307.pdf MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 STMICROELECTRONICS en.DM00049307.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STD11N65M5 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0005001052-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 STMicroelectronics en.DM00049307.pdf
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 stb11n65m5.pdf
STD11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
202+70.25 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 stb11n65m5.pdf
STD11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+75.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 en.DM00049307.pdf
STD11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N CH 650V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+182.88 грн
10+113.27 грн
100+77.49 грн
500+58.36 грн
1000+54.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 en.DM00049307.pdf
STD11N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 en.DM00049307.pdf
STD11N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 85W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 SGST-S-A0005001052-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD11N65M5
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD11N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 9 A, 0.43 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 85W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.43ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD11N65M5 en.DM00049307.pdf
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.