Продукція > STMICROELECTRONICS > STD120N4F6
STD120N4F6

STD120N4F6 STMicroelectronics

en.CD00263682.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.38 грн
10+91.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD120N4F6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD120N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції STD120N4F6

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD120N4F6 STD120N4F6 STMicroelectronics cd00263682-1797219.pdf MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A S TripFET VI DeepGATE
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6 STD120N4F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003112369-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD120N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6 STD120N4F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0003112369-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STD120N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6 STMicroelectronics en.CD00263682.pdf
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6 cd00263682-1797219.pdf
STD120N4F6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A S TripFET VI DeepGATE
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6 SGST-S-A0003112369-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD120N4F6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD120N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6 SGST-S-A0003112369-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STD120N4F6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD120N4F6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 9837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD120N4F6 en.CD00263682.pdf
Виробник: STMicroelectronics
на замовлення 2178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.