Продукція > STMICROELECTRONICS > STD12N50DM2
STD12N50DM2

STD12N50DM2 STMicroelectronics

en.DM00129953.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.98 грн
10+ 95.11 грн
100+ 75.73 грн
500+ 60.13 грн
1000+ 51.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD12N50DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD12N50DM2 за ціною від 47.64 грн до 127.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD12N50DM2 STD12N50DM2 Виробник : STMicroelectronics std12n50dm2-1850515.pdf MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.55 грн
10+ 105.15 грн
100+ 72.88 грн
500+ 61.16 грн
1000+ 51.88 грн
2500+ 49.23 грн
5000+ 47.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N50DM2 STD12N50DM2 Виробник : STMicroelectronics dm00129953.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD12N50DM2 Виробник : STMicroelectronics dm00129953.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD12N50DM2 STD12N50DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00129953.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
товар відсутній