Продукція > STMICROELECTRONICS > STD12N50DM2
STD12N50DM2

STD12N50DM2 STMicroelectronics

en.DM00129953.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 1449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.80 грн
10+69.72 грн
100+59.92 грн
500+54.97 грн
1000+52.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD12N50DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD12N50DM2 за ціною від 52.25 грн до 190.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD12N50DM2 STD12N50DM2 Виробник : STMicroelectronics std12n50dm2-1850515.pdf MOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.94 грн
10+126.60 грн
100+76.33 грн
500+61.06 грн
1000+56.44 грн
2500+52.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50DM2 STD12N50DM2 Виробник : STMicroelectronics dm00129953.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50DM2 Виробник : STMicroelectronics dm00129953.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50DM2 STD12N50DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00129953.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.