Продукція > STMICROELECTRONICS > STD12N50DM2
STD12N50DM2

STD12N50DM2 STMicroelectronics

en.DM00129953.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.23 грн
10+103.07 грн
100+70.23 грн
500+52.71 грн
1000+48.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD12N50DM2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD12N50DM2 за ціною від 44.68 грн до 174.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD12N50DM2 STD12N50DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00129953.pdf MOSFETs N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ., 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package
на замовлення 2271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.82 грн
10+110.61 грн
100+66.56 грн
500+56.18 грн
1000+49.76 грн
2500+46.98 грн
5000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50DM2 Виробник : STM en.DM00129953.pdf N-CHANNEL 500 V, 0.35 OHM TYP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N50DM2 STD12N50DM2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00129953.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.