Продукція > STMICROELECTRONICS > STD12N50M2
STD12N50M2

STD12N50M2 STMicroelectronics

en.DM00109922.pdf Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD12N50M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 85W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD12N50M2 за ціною від 36.84 грн до 108.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
STD12N50M2 STD12N50M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00109922.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.78 грн
10+ 80.41 грн
100+ 62.52 грн
500+ 49.73 грн
1000+ 40.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N50M2 STD12N50M2 Виробник : STMicroelectronics std12n50m2-1850490.pdf MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.99 грн
10+ 88.39 грн
100+ 59.57 грн
500+ 50.55 грн
1000+ 41.15 грн
2500+ 38.69 грн
5000+ 36.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD12N50M2 STD12N50M2 Виробник : STMicroelectronics 2907659424394883dm0010.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD12N50M2 Виробник : STMicroelectronics 2907659424394883dm0010.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній