Продукція > STMICROELECTRONICS > STD12N60DM6
STD12N60DM6

STD12N60DM6 STMicroelectronics

std12n60dm6-1927864.pdf Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 2387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.54 грн
10+127.44 грн
100+79.26 грн
500+65.10 грн
1000+61.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD12N60DM6 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Active, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD12N60DM6 за ціною від 68.58 грн до 173.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD12N60DM6 STD12N60DM6 Виробник : STMicroelectronics std12n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.86 грн
10+120.10 грн
100+91.91 грн
500+69.65 грн
1000+68.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6 STD12N60DM6 Виробник : STMicroelectronics std12n60dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6 Виробник : STMicroelectronics std12n60dm6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD12N60DM6 STD12N60DM6 Виробник : STMicroelectronics std12n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.