STD12N60DM6 STMicroelectronics
Виробник: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 151.47 грн |
| 10+ | 116.60 грн |
| 100+ | 83.81 грн |
| 500+ | 66.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD12N60DM6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD12N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD12N60DM6 за ціною від 57.92 грн до 167.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD12N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 345 mOhm typ., 10 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package |
на замовлення 2369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD12N60DM6 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD12N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.345 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.345ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
STD12N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| STD12N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
STD12N60DM6 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 508 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |