Продукція > STMICROELECTRONICS > STD12NF06T4
STD12NF06T4

STD12NF06T4 STMicroelectronics

en.CD00002756.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+32.22 грн
5000+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD12NF06T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції STD12NF06T4 за ціною від 26.78 грн до 133.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics STD12NF06T4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.36 грн
10+64.34 грн
100+42.87 грн
500+33.50 грн
1000+29.60 грн
2000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002756.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.24 грн
10+71.26 грн
100+47.80 грн
500+35.43 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMICROELECTRONICS SGSTS25383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.40 грн
10+84.38 грн
100+56.33 грн
500+42.53 грн
1000+34.65 грн
5000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002756.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 30W
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+105.36 грн
10+64.34 грн
100+42.87 грн
500+33.50 грн
1000+29.60 грн
2000+26.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 en.CD00002756.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 5551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.24 грн
10+71.26 грн
100+47.80 грн
500+35.43 грн
1000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 SGSTS25383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD12NF06T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+133.40 грн
10+84.38 грн
100+56.33 грн
500+42.53 грн
1000+34.65 грн
5000+31.48 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 en.CD00002756.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.