STD12NF06T4 STMicroelectronics
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис STD12NF06T4 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції STD12NF06T4 за ціною від 21.46 грн до 135.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2986 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.1Ω Drain current: 8.5A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 30W Drain-source voltage: 60V Case: DPAK Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.1Ω Drain current: 8.5A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 30W Drain-source voltage: 60V Case: DPAK Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
на замовлення 5641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06T4 | Виробник : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 6093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
STD12NF06T4 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp |
на замовлення 3787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|