Продукція > STMICROELECTRONICS > STD12NF06T4
STD12NF06T4

STD12NF06T4 STMicroelectronics

std12nf06t4.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD12NF06T4 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 30W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Інші пропозиції STD12NF06T4 за ціною від 14.86 грн до 182.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics std12nf06t4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002756.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics std12nf06t4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+41.78 грн
369+39.71 грн
371+39.57 грн
500+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics std12nf06t4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.03 грн
18+45.68 грн
25+41.78 грн
100+38.30 грн
250+35.33 грн
500+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics STD12NF06T4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 8.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+124.35 грн
10+59.01 грн
50+51.20 грн
62+15.71 грн
169+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002756.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.96 грн
10+77.48 грн
50+58.12 грн
100+48.69 грн
500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics en.CD00002756.pdf MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+137.81 грн
10+64.54 грн
100+50.11 грн
500+39.50 грн
1000+37.84 грн
2500+32.35 грн
5000+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics std12nf06t4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMicroelectronics std12nf06t4.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
81+182.69 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4 STMICROELECTRONICS SGSTS25383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 VBsemi en.CD00002756.pdf TO-252 MOSFETs STD12NF06T4-VB TSTD12NF06T4 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 std12nf06t4.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 en.CD00002756.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 std12nf06t4.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
351+41.78 грн
369+39.71 грн
371+39.57 грн
500+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 std12nf06t4.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+51.03 грн
18+45.68 грн
25+41.78 грн
100+38.30 грн
250+35.33 грн
500+26.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 STD12NF06T4.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; 30W; DPAK; ESD
Power dissipation: 30W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Drain current: 8.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2084 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+124.35 грн
10+59.01 грн
50+51.20 грн
62+15.71 грн
169+14.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 en.CD00002756.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+126.96 грн
10+77.48 грн
50+58.12 грн
100+48.69 грн
500+38.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 en.CD00002756.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 60 Volt 12 Amp
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.81 грн
10+64.54 грн
100+50.11 грн
500+39.50 грн
1000+37.84 грн
2500+32.35 грн
5000+31.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 std12nf06t4.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+182.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 std12nf06t4.pdf
STD12NF06T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
81+182.69 грн
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 SGSTS25383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD12NF06T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD12NF06T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 30W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 4421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD12NF06T4 en.CD00002756.pdf
Виробник: VBsemi
TO-252 MOSFETs STD12NF06T4-VB TSTD12NF06T4 VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+17.78 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.