Продукція > STMICROELECTRONICS > STD13N60M2
STD13N60M2

STD13N60M2 STMicroelectronics

en.DM00082928.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.93 грн
5000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис STD13N60M2 STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V.

Інші пропозиції STD13N60M2 за ціною від 29.34 грн до 129.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
STD13N60M2 STD13N60M2 Виробник : STMicroelectronics STB13N60M2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 1684 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.94 грн
10+79.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M2 STD13N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00082928.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.10 грн
10+75.28 грн
100+50.45 грн
500+37.35 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M2 STD13N60M2 Виробник : STMicroelectronics en.DM00082928.pdf MOSFETs N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2
на замовлення 4016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.29 грн
10+80.95 грн
100+47.19 грн
500+37.22 грн
1000+34.71 грн
2500+31.15 грн
5000+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
STD13N60M2 Виробник : STM en.DM00082928.pdf Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.